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晶圆划片工艺的硅片切割质量评估

来源: 国产划片机 宣布时间:2021-05-10

  高精密划片机制造商关于低k晶圆切割质量评估,除了正面崩角和背面崩角以外,凭据实验数据和可靠性结果,划定了下述硅片切割质量指标:

 。ǎ保┩芊饣凡辉市矸浩鸲狭,分层或其他任何(在200倍显微镜下)可见的损伤。

 。ǎ玻┰诨智戏浩鸾鹗粲隝LD层的分层是允许的,只要这种分层能止步于铜密封环外。

 。ǎ常┰谛酒亩ソ乔虻慕鹗簦疘LD层不允许泛起分层或损伤,唯一的例外是有封装可靠性数据证明在某种特定的芯片设计/封装结构的组合下芯片的顶角区域的损伤可以接受。

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  在晶圆的制造历程中,为了获得较高的制品率、较低的制造本钱和稳定的工艺制程,每一步工艺都处于严格的监控下。因此,测试图案被设计出来并对其进行监测,以确保要害参数如电参数、制程精度如ILD层/金属层的淀积厚度、掩膜瞄准精度及金属线宽容差等满足设计要求,通常有三种方法来实现晶圆工艺制程监控:

 。╝)离线测试,这种测试将所有的测试图案放入被称为“工艺确认晶圆”的特别设计的晶圆上。优点是可以包括所有需要测试的图案,因而可以执行一个全面的工艺制程监控 ;缺点是高本钱和费时。它通常应用在产品的研发初期。当产品技术日趋成熟后,这种测试要领会被其他的测试要领所取代。

 。╞)测试芯片插入法。所有的测试图案被放入测试芯片内,这些测试芯片被安顿在晶圆上的差别区域。测试芯片的数目和位置取决于晶圆制造技术的庞漂后。优点是它是一种实时监控。如果某种致命的缺陷爆发在晶圆制造流程的早期,就可以制止由于整个晶圆报废而带来的损失。这种测试要领的缺点是它占用了名贵的硅片资源,尤其是当单个芯片尺寸较大,而PDPW(Potential Die Per Wafer)数目较小的时候。

 。╟)周边测试,测试图案被安排在划片街区内。将测试图案放在划片街区内能够在实现实时监控的同时,节约了名贵的硅片资源?梢苑沤智牟馐酝及傅氖咳【鲇谠谝桓鲅谀ぃ≧eticle)内划片街区的长度和面积。在一个Reticle内划片街区上的测试图案,会随着步进式光刻的科技进化完成项目。

  在一个晶圆上,通常有几百个至数千个芯片连在一起,我们国产划片机行颐魅正在崛起,获得了国家的重视!划片机来自BETVLCTOR网页版注册科技,未来世界看中国制造!


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